M02300 - SEMI M23 - 鏡面単結晶インジウムリンウェーハの仕様 Revision:SEMI M23-0703 - Superseded provides an indication of the

provides an indication of the native nucleation sites present in the as-received wafers

この仕様が適用される開発用ウェーハは，直径450 mm単結晶シリコンウェーハ上に高集積ICを生産するのに必要な製造プロセス，製造装置および評価装置の研究開発に使うことを意図している。直径450 mmデバイス用（プライム）ウェーハの形状仕様をサポートするのに必要な測定法や測定技術を築くためにも使える。

• Repeatability

This Standard is intended to set an appropriate level of specification that places minimal limits on innovation while ensuring modularity and their interchangeability at all mechanical interfaces

M02300 - SEMI M23 - 鏡面単結晶インジウムリンウェーハの仕様 Revision:SEMI M23-0703 - Superseded provides an indication of theSEMI M23SEMI M23. 60703 Subordinate Standards: SEMI M23. 1 0600 50 mm SEMI M23. 2 1000 3(76. 2mm) SEMI M23. 3 0600 SEMI M23. 4 0999 100 mm SEMI M23. 5 1000 100 mm V GROOVE SEMI M23. 6 0703 150 mm Referenced SEMI Standards SEMI M39 Test Method for Measuring Resistivity and Hall Coefficient and Determining Hall Mobility on Semi Insulating GaAs Single Crystals